IT之家 4 月 28 日消息，韩媒 SE Daily 援引业界消息报道称，三星电子内部已制定了在第 7 代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1d nm 后即导入 VCT 垂直通道晶体管技术的路线图，相关产品有望最早于 2~3 年内面世。据悉三星电子在 1d nm 后的下代 DRAM 工艺上曾考虑
